2021年12月11日（土）IEDM（国際電子デバイス会議）において世界初の2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を開発発表したということです。
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社（以下、ソニー）は、世界初となる2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功しました。
Via:ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
- フォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層
- それぞれの層を最適化した構造の採用が可能
- アンプトランジスタのサイズの拡大が可能となりノイズを大幅に低減させることに成功
- 従来比約2倍の飽和信号量、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現
- 更なる微細画素においても、画素特性の維持・向上を可能にする。
- スマートフォン撮影などのさらなる高画質化の実現に貢献する。
フォトダイオード部の拡大でのメリットがあるのは当然だと思いますが、このリリースを見て面白いなと思ったのが、AMPトランジスタのサイズ拡大によってノイズ低減を実現したと書かれていることでした。
微細画素化によって、回路上のトランジスタのサイズも限界が来ていたということでしょうかね。
ということでこの技術は世界初ということで、裏面照射型からの更に微小画素化へのブレークスルーとなるかもしれませんね！
で、まずはスマートフォン用のイメージセンサーに採用されそうなので、出た直後は、ミラーレスのイメージセンサーの性能を上回ったりするかもですね！
また先日もCanonがSPADイメージセンサーの製造を開始したというニュースもありましたので、各社の競争も激化しそうですね。
楽しみです。
